近年来，人工智能、互联网+等新技能的鼓起对硬件的算力、能耗提出了新的要求。但是，跟着传统硅基芯片制程的不断缩小，短沟道效应、热效应日趋明显，严峻阻止了硅基芯片的进一步开展。与此一起，根据全二维资料的量子器材在兼具极限尺度和优异功用的一起，与传统硅基器材微加工工艺兼容，且根本器材组成单元齐备，非常有望能在较短时间内完成全新功用器材范畴的技能性打破，是当下各国竞相追逐的研讨热门。
与硅基芯片依赖于晶圆级单晶硅锭类似，大尺度二维单晶制备已成为高度集成二维器材规划使用的中心要害。单晶资料自身可以尽可能的避免由晶界、缺点所带来的功用劣化，一起大尺度单晶可以确保器材性质高度一致。但是，现在只要石墨烯、六方氮化硼完成了大尺度单晶的可操控备，其它二维资料的单晶尺度仍非常有限。因而，对现有的二维单晶操控成长技能进行系统性的整理和展望，具有重要的科学含义。
有鉴于此，北京大学刘开辉课题组总结了规划成长大尺度二维单晶研讨的最新进展。该总述根据单晶成长的四个要害因素：1）操控成核，包含约束成核密度、操控单核长大等；2）加速成长速度，包含下降反响的能量势垒、促进前驱体分化和边际原子吸附等；3）衬底外表调控，主要为衬底外表对称性对二维单晶成长的影响；4）产品单一相操控，展现了过渡金属硫族化合物的高纯相成长和诱发相变的多种手段。最终，作者对二维单晶规划成长和潜在使用的开展的新趋势进行了总结与展望。
相关论文以“Designed Growth of Large-Size 2D Single Crystals”为题，于近期宣布在Advanced Materials（DOI: 10.1002/adma.202000046）上。
